Materials for magnetoresistive random access memory /
Spremljeno u:
Glavni autor: | Slaughter, J. M. |
---|---|
Format: | Članak |
Jezik: | English |
Teme: | |
Oznake: |
Dodaj oznaku
Bez oznaka, Budi prvi tko označuje ovaj zapis!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Similar Items
-
Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model
od: Nguyễn, Đăng Chiến, i dr.
Izdano: (2024) -
Phase change materials /
od: Raoux, Simone. -
Strongly Correlated Systems:
Experimental Techniques
od: Avella, Adolfo, i dr.
Izdano: (2016) -
Effects of source doping profile on device characteristics of lateral and vertical tunnel field-effect transistors
od: Luu The Vinh, i dr.
Izdano: (2023) -
Impact of edge encroachment on programming and erasing gate current in NAND-type Flash memory
od: Ji-Ting Liang, i dr.
Izdano: (2024)