Thiết kế hầm giao thông

QR Code (код быстрого отклика)

Thiết kế hầm giao thông

Hiển thị phiên bản (3) khác

Công trình ngầm nói chung, hầm nói riêng được sử dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực khác nhau: giao thông, xây dựng, quốc phòng; hầm còn là công trình phổ biến trong khai thác khoáng sản trong xây dựng hạ tầng kỹ thuật đô thị v.v... Nhằm cung...

Полное описание

Сохранить в:

Библиографические подробности
Главный автор:	Nguyễn, Thế Phùng
Формат:	‌
Язык:	Undetermined
Опубликовано:	Hà Nội Xây dựng 2008
Предметы:	Tunneling,Tunnels,Xây dựng đường hầm,Làm đường hầm
Метки:	Добавить метку Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!

Thư viện lưu trữ:	Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ

Схожие документы

Nghiên cứu thiết kế mặt cắt ngang hầm đô thị và hầm ngoài đô thị đáp ứng điều kiện an toàn giao thông
по: Nguyễn, Hữu Dũng
Опубликовано: (2026)

Effects of source doping profile on device characteristics of lateral and vertical tunnel field-effect transistors
по: Luu The Vinh, et al.
Опубликовано: (2023)

Fluctuations in biological and bioinspired electron-transfer reactions /
по: Skourtis, Spiros S.

Nghiên cứu tối ưu hóa các tham số của thân linh kiện nâng cao đặc tính điện của các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm (TFET)
по: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Опубликовано: (2025)

Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors
по: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Опубликовано: (2024)

Design and modeling of line-tunneling field-effect transistors using low bandgap semiconductors
по: Chun-Hsing Shih, et al.
Опубликовано: (2024)

Bandgap-dependent onset behavior of output characteristics in line-tunneling field-effect transistors
по: Chun-Hsing Shih, et al.
Опубликовано: (2023)

Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model
по: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Опубликовано: (2024)

A simple approach for integrating quantum confinement effects into TCAD Simulations of tunnel field-effect transistors
по: Bui Huu Thai, et al.
Опубликовано: (2024)

Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors
по: Bui Huu Thai, et al.
Опубликовано: (2024)

Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors
по: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Опубликовано: (2024)

Materials for magnetoresistive random access memory /
по: Slaughter, J. M.

Embryology, epigenesis, and evolution :
по: Robert, Jason Scott
Опубликовано: (2004)

A very low bandgap line-tunnel field effect transistor with channel-buried oxide and laterally doped pocket
по: Bui Huu Thai, et al.
Опубликовано: (2024)

A VERY LOW BANDGAP LINE-TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH CHANNEL-BURIED OXIDE AND LATERALLY DOPED POCKET
по: Bui, Huu Thai, et al.
Опубликовано: (2024)

Impact of edge encroachment on programming and erasing gate current in NAND-type Flash memory
по: Ji-Ting Liang, et al.
Опубликовано: (2024)

Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios
по: Chun-Hsing Shih, et al.
Опубликовано: (2024)

Dr. Pascarelli's complete guide to repetitive strain injury :
по: Pascarelli, Emil F.
Опубликовано: (2004)

Scanning Tunneling Spectroscopy of Magnetic Bulk Impurities: From a Single Kondo Atom Towards a Coupled System
по: Prüser, Henning
Опубликовано: (2016)

Tunneling Dynamics in Open Ultracold Bosonic Systems: Numerically Exact Dynamics – Analytical Models – Control Schemes
по: Lode, Axel U. J
Опубликовано: (2016)

Semiconductor-thickness-dependent design of hetero-gate dielectric in double-gate TFETs
по: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Опубликовано: (2024)

Oxide thickness-dependent effects of source doping profile on the performance of single- and double-gate tunnel field-effect transistors
по: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Опубликовано: (2023)

Different roles and designs of hetero-gate dielectric in single- and double-gate tunnel field-effect transistors
по: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Опубликовано: (2023)

Influence of hetero-gate dielectrics on short-channel effects in scaled tunnel field-effect transistors
по: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Опубликовано: (2024)

Short-channel effect and device design of extremely scaled tunnel field-effect transistors
по: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Опубликовано: (2023)

Scanning tunneling microscopy with chemically modified gold tips : In situ reestablishment of chemical contrast /
по: Olson, Joel A.

Direct observation of chiral oligo(p-phenylenevinylene)s with scanning tunneling microscopy /

Bê tông phun trong xây dựng hầm
по: Nguyễn, Viết Trung
Опубликовано: (2017)

Thi công hầm
по: Nguyễn, Thế Phùng
Опубликовано: (2001)

Thiết kế hầm giao thông
по: Nguyễn, Thế Phùng
Опубликовано: (2012)

Aerodynamic modelling of trees for small-scale wind tunnel studies /
по: Gromke, Christof.

Coherent control of quantum dynamics with sequences of unitary phase-kick pulses /
по: Rego, Luis G. C.

Giáo sư Dương Quảng Hàm /
по: Lê Văn Ba.
Опубликовано: (2000)

A scanning tunnelling microscopy insight into the preparation of carbon molecular sieves by chemical vapour deposition /

Đánh giá tình trạng loạn năng của hàm dưới sau phẫu thuật cắt đoạn xương hàm dưới đặt nẹp tái tạo
по: Đoàn, Cao Quốc Duy
Опубликовано: (2026)

Thi công hầm và công trình ngầm
по: Nguyễn, Xuân Trọng
Опубликовано: (2012)

Đường hầm bí mât trong thế chiến I /
по: Việt Phương.

Increasing drain voltage of low-bandgap tunnel field-effect transistors by drain engineering
по: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Опубликовано: (2024)

Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction
по: Chun-Hsing Shih, et al.
Опубликовано: (2024)

Bandgap-dependent deviations of local and nonlocal from mixed band-to-band tunneling models
по: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Опубликовано: (2024)