Näytetään 1 - 14 yhteensä 14 tuloksesta haulle 'International Solid-State Circuits Conference', hakuaika: 0,07s Tarkenna hakua
1
Fringing field and short channel effects in thin-body SOI MOSFETs with shallow source/drain
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Hae kokoteksti
Lisää suosikkeihin
Tallennettuna:
2
Physical properties and analytical models of band-to-band tunneling in low-bandgap semiconductors
Tekijä Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến
Julkaistu 2024
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Hae kokoteksti
Lisää suosikkeihin
Tallennettuna:
3
Effects of source doping profile on device characteristics of lateral and vertical tunnel field-effect transistors
Tekijä Luu The Vinh, Nguyễn, Đăng Chiến
Julkaistu 2023
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Hae kokoteksti
Lisää suosikkeihin
Tallennettuna:
4
Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model
“... candidate for low power integrated circuits because of their achievable sub-60 mV/decade subthreshold swing...”
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Hae kokoteksti
Lisää suosikkeihin
Tallennettuna:
5
Theoretical evaluation of maximum electric field approximation of direct band-to-band tunneling Kane model for low bandgap semiconductors
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Hae kokoteksti
Lisää suosikkeihin
Tallennettuna:
6
Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Hae kokoteksti
Lisää suosikkeihin
Tallennettuna:
7
Proper Determination of Tunnel Model Parameters for Indirect Band-to-Band Tunneling in Compressively Strained Si1-xGex TFETs
“... in future low-power integrated circuits. To explore the current-voltage characteristics of TFET devices...”
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Hae kokoteksti
Lisää suosikkeihin
Tallennettuna:
8
Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Hae kokoteksti
Lisää suosikkeihin
Tallennettuna:
9
Roles of gate-oxide thickness reduction in scaling bulk and thin-body tunnel field-effect transistors
“...-power integrated circuits. In this paper, we present an adequate examination on the roles of gate-oxide...”
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Hae kokoteksti
Lisää suosikkeihin
Tallennettuna:
10
Semiconductor-thickness-dependent design of hetero-gate dielectric in double-gate TFETs
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Hae kokoteksti
Lisää suosikkeihin
Tallennettuna:
11
Bandgap-dependent deviations of local and nonlocal from mixed band-to-band tunneling models
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Hae kokoteksti
Lisää suosikkeihin
Tallennettuna:
12
Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
“... feasible candidate for low-power and highly-scaled integrated circuits....”
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Hae kokoteksti
Lisää suosikkeihin
Tallennettuna:
13
Design optimization of extremely short-channel graded Si/SiGe heterojunction tunnel field-effect transistors for low power applications
Tekijä Nguyễn, Đăng Chiến, Luu The Vinh
Julkaistu 2024
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Hae kokoteksti
Lisää suosikkeihin
Tallennettuna:
14
Effects of Edge Thinning on Fowler-Nordheim Tunneling Current of NAND-Type Flash Memory Cells
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Hae kokoteksti
Lisää suosikkeihin
Tallennettuna:
Työkalut: RSS-syöte — Lähetä haku sähköpostilla — Tallenna haku