Résultat(s) 1 - 14 résultats de 14 pour la requête 'International Solid-State Circuits Conference', Temps de recherche: 0,07s Affiner les résultats
1
Fringing field and short channel effects in thin-body SOI MOSFETs with shallow source/drain
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Accéder au texte intégral
Ajouter aux favoris
Enregistré dans:
2
Physical properties and analytical models of band-to-band tunneling in low-bandgap semiconductors
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Accéder au texte intégral
Ajouter aux favoris
Enregistré dans:
3
Effects of source doping profile on device characteristics of lateral and vertical tunnel field-effect transistors
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Accéder au texte intégral
Ajouter aux favoris
Enregistré dans:
4
Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model
“... candidate for low power integrated circuits because of their achievable sub-60 mV/decade subthreshold swing...”
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Accéder au texte intégral
Ajouter aux favoris
Enregistré dans:
5
Theoretical evaluation of maximum electric field approximation of direct band-to-band tunneling Kane model for low bandgap semiconductors
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Accéder au texte intégral
Ajouter aux favoris
Enregistré dans:
6
Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Accéder au texte intégral
Ajouter aux favoris
Enregistré dans:
7
Proper Determination of Tunnel Model Parameters for Indirect Band-to-Band Tunneling in Compressively Strained Si1-xGex TFETs
“... in future low-power integrated circuits. To explore the current-voltage characteristics of TFET devices...”
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Accéder au texte intégral
Ajouter aux favoris
Enregistré dans:
8
Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Accéder au texte intégral
Ajouter aux favoris
Enregistré dans:
9
Roles of gate-oxide thickness reduction in scaling bulk and thin-body tunnel field-effect transistors
“...-power integrated circuits. In this paper, we present an adequate examination on the roles of gate-oxide...”
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Accéder au texte intégral
Ajouter aux favoris
Enregistré dans:
10
Semiconductor-thickness-dependent design of hetero-gate dielectric in double-gate TFETs
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Accéder au texte intégral
Ajouter aux favoris
Enregistré dans:
11
Bandgap-dependent deviations of local and nonlocal from mixed band-to-band tunneling models
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Accéder au texte intégral
Ajouter aux favoris
Enregistré dans:
12
Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
“... feasible candidate for low-power and highly-scaled integrated circuits....”
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Accéder au texte intégral
Ajouter aux favoris
Enregistré dans:
13
Design optimization of extremely short-channel graded Si/SiGe heterojunction tunnel field-effect transistors for low power applications
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Accéder au texte intégral
Ajouter aux favoris
Enregistré dans:
14
Effects of Edge Thinning on Fowler-Nordheim Tunneling Current of NAND-Type Flash Memory Cells
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Accéder au texte intégral
Ajouter aux favoris
Enregistré dans:
Outils de recherche: S'abonner aux flux RSS — Envoyer cette recherche par courriel — Enregistrer la recherche