Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors

Bỡi Bui Huu Thai, Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến
Được phát hành 2024

Physical properties and analytical models of band-to-band tunneling in low-bandgap semiconductors

Bỡi Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến
Được phát hành 2024

Drive current enhancement in tunnel field-effect transistors by graded heterojunction approach

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Chun-Hsing Shih, Luu The Vinh
Được phát hành 2024

Theoretical evaluation of maximum electric field approximation of direct band-to-band tunneling Kane model for low bandgap semiconductors

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Chun-Hsing Shih, Phù, Chí Hòa, Nguyen Hong Minh, Dương, Thị Thanh Hiên, Le Hong Nhung
Được phát hành 2023

Design optimization of extremely short-channel graded Si/SiGe heterojunction tunnel field-effect transistors for low power applications

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Luu The Vinh
Được phát hành 2024

Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Luu The Vinh, Chun-Hsing Shih
Được phát hành 2024

Quantum Confinement Effect in Strained-Si¬1-xGex Double-Gate Tunnel Field-Effect Transistors

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Chun-Hsing Shih, Luu The Vinh, Nguyen Van Kien
Được phát hành 2024

Different roles and designs of hetero-gate dielectric in single- and double-gate tunnel field-effect transistors

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Huynh Thi Hong Tham, Luu The Vinh, Chun-Hsing Shih
Được phát hành 2023

Short-channel effect and device design of extremely scaled tunnel field-effect transistors

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Chun-Hsing Shih
Được phát hành 2023

On-current limitation of high-k gate insulator MOSFETs

Bỡi Chun-Hsing Shih, Jhong-Sheng Wang, Nguyễn, Đăng Chiến, Ruei-Kai Shia
Được phát hành 2024

Physical operation and device design of short-channel tunnel field-effect transistors with graded silicon-germanium heterojunctions

Bỡi Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến
Được phát hành 2024

Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction

Bỡi Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến
Được phát hành 2024

Roles of gate-oxide thickness reduction in scaling bulk and thin-body tunnel field-effect transistors

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Dao Thi Kim Anh, Chun-Hsing Shih
Được phát hành 2023

Effects of source doping profile on device characteristics of lateral and vertical tunnel field-effect transistors

Bỡi Luu The Vinh, Nguyễn, Đăng Chiến
Được phát hành 2023

Proper Determination of Tunnel Model Parameters for Indirect Band-to-Band Tunneling in Compressively Strained Si1-xGex TFETs

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Luu The Vinh, Nguyen Van Kien, Jui-Kai Hsia, Ting-Shiuan Kang, Chun-Hsing Shih
Được phát hành 2024

Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Chun-Hsing Shih
Được phát hành 2023

A source-side injection lucky electron model for Schottky barrier metal-oxide-semiconductor devices

Bỡi Chun-Hsing Shih, Ji-Ting Liang, Jhong-Sheng Wang, Nguyễn, Đăng Chiến
Được phát hành 2024