Physical operation and device design of short-channel tunnel field-effect transistors with graded silicon-germanium heterojunctions

Bỡi Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến
Được phát hành 2024

Increasing drain voltage of low-bandgap tunnel field-effect transistors by drain engineering

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Chun-Hsing Shih, Yu-Hsuan Chen, Nguyen Thi Thu
Được phát hành 2024

Design optimization of extremely short-channel graded Si/SiGe heterojunction tunnel field-effect transistors for low power applications

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Luu The Vinh
Được phát hành 2024

Design and modeling of line-tunneling field-effect transistors using low bandgap semiconductors

Bỡi Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến
Được phát hành 2024

Physical properties and analytical models of band-to-band tunneling in low-bandgap semiconductors

Bỡi Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến
Được phát hành 2024

Drive current enhancement in tunnel field-effect transistors by graded heterojunction approach

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Chun-Hsing Shih, Luu The Vinh
Được phát hành 2024

Oxide thickness-dependent effects of source doping profile on the performance of single- and double-gate tunnel field-effect transistors

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Chun-Hsing Shih
Được phát hành 2023

Proper Determination of Tunnel Model Parameters for Indirect Band-to-Band Tunneling in Compressively Strained Si1-xGex TFETs

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Luu The Vinh, Nguyen Van Kien, Jui-Kai Hsia, Ting-Shiuan Kang, Chun-Hsing Shih
Được phát hành 2024

Bandgap-dependent onset behavior of output characteristics in line-tunneling field-effect transistors

Bỡi Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến
Được phát hành 2023

Bandgap-dependent deviations of local and nonlocal from mixed band-to-band tunneling models

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Hoang Sy Duc, Chun-Hsing Shih, Dinh Sy Hien
Được phát hành 2024

Impact of edge encroachment on programming and erasing gate current in NAND-type Flash memory

Bỡi Ji-Ting Liang, Chun-Hsing Shih, Wei Chang, Yan-Xiang Luo, Ming-Kun Huang, Nguyễn, Đăng Chiến, Wen-Fa Wu, Sau-Mou Wu, Chenhsin Lien, Riichiro Shirota, Chiu-Tsung Huang, Su Lu, Alex Wang
Được phát hành 2024

Universal voltage-mode biquadratic filter synthesis using nodal admittance matrix expansion

Bỡi Trần, Hữu Duy, Nguyen Duc Hoa, Nguyễn, Đăng Chiến, Nguyen Van Kien, Hung-Yu Wang
Được phát hành 2023

Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Bui Huu Thai, Chun-Hsing Shih
Được phát hành 2024

Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction

Bỡi Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến
Được phát hành 2024

Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Luu The Vinh, Chun-Hsing Shih
Được phát hành 2024

Schottky barrier silicon nanowire SONOS memory with ultralow programming and erasing voltages

Bỡi Chun-Hsing Shih, Wei Chang, Yan-Xiang Luo, Ji-Ting Liang, Ming-Kun Huang, Nguyễn, Đăng Chiến, Ruei-Kai Shia, Jr-Jie Tsai, Wen-Fa Wu, Chenhsin Lien
Được phát hành 2024

Quantum Confinement Effect in Strained-Si¬1-xGex Double-Gate Tunnel Field-Effect Transistors

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Chun-Hsing Shih, Luu The Vinh, Nguyen Van Kien
Được phát hành 2024

Roles of gate-oxide thickness reduction in scaling bulk and thin-body tunnel field-effect transistors

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Dao Thi Kim Anh, Chun-Hsing Shih
Được phát hành 2023

Effects of Edge Thinning on Fowler-Nordheim Tunneling Current of NAND-Type Flash Memory Cells

Bỡi Ji-Ting Liang, Chun-Hsing Shih, Yan-Xiang Luo, Ming-Kun Huang, Nguyễn, Đăng Chiến, Ruei-Kai Shia, Sau-Mou Wu, Chenhsin Lien, Wen-Fa Wu
Được phát hành 2024

Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Luu The Vinh, Hoang Sy Duc
Được phát hành 2024