Ähnliche Schlagwörter innerhalb Ihrer Suche.
Treffer 74.561 - 74.580 von 74.681 für Suche '', Suchdauer: 0,15s Treffer weiter einschränken
74561
Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Volltext
Zu den Favoriten
Gespeichert in:
74562
Semiconductor-thickness-dependent design of hetero-gate dielectric in double-gate TFETs
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Volltext
Zu den Favoriten
Gespeichert in:
74563
Influence of hetero-gate dielectrics on short-channel effects in scaled tunnel field-effect transistors
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Volltext
Zu den Favoriten
Gespeichert in:
74564
Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Volltext
Zu den Favoriten
Gespeichert in:
74565
Design and modeling of line-tunneling field-effect transistors using low bandgap semiconductors
von Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến
Veröffentlicht 2024
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Volltext
Zu den Favoriten
Gespeichert in:
74566
Physical properties and analytical models of band-to-band tunneling in low-bandgap semiconductors
von Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến
Veröffentlicht 2024
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Volltext
Zu den Favoriten
Gespeichert in:
74567
Drive current enhancement in tunnel field-effect transistors by graded heterojunction approach
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Volltext
Zu den Favoriten
Gespeichert in:
74568
Design optimization of extremely short-channel graded Si/SiGe heterojunction tunnel field-effect transistors for low power applications
von Nguyễn, Đăng Chiến, Luu The Vinh
Veröffentlicht 2024
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Volltext
Zu den Favoriten
Gespeichert in:
74569
Physical operation and device design of short-channel tunnel field-effect transistors with graded silicon-germanium heterojunctions
von Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến
Veröffentlicht 2024
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Volltext
Zu den Favoriten
Gespeichert in:
74570
On-current limitation of high-k gate insulator MOSFETs
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Volltext
Zu den Favoriten
Gespeichert in:
74571
Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction
von Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến
Veröffentlicht 2024
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Volltext
Zu den Favoriten
Gespeichert in:
74572
Schottky barrier silicon nanowire SONOS memory with ultralow programming and erasing voltages
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Volltext
Zu den Favoriten
Gespeichert in:
74573
A source-side injection lucky electron model for Schottky barrier metal-oxide-semiconductor devices
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Volltext
Zu den Favoriten
Gespeichert in:
74574
Impact of edge encroachment on programming and erasing gate current in NAND-type Flash memory
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Volltext
Zu den Favoriten
Gespeichert in:
74575
Neutron transition strengths of 21+ states in the neutron-rich oxygen isotopes determined from inelastic proton scattering
von Nguyễn, Đăng Chiến, Dao Tien Khoa
Veröffentlicht 2024
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Volltext
Zu den Favoriten
Gespeichert in:
74576
Improving the electrical properties of probe tip using gold recoating
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Volltext
Zu den Favoriten
Gespeichert in:
74577
Threshold voltage of Ge channel MOSFETs with high-k gate insulator
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Volltext
Zu den Favoriten
Gespeichert in:
74578
Ambipolar conduction in recessed channel Schottky barrier MOSFETs
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Volltext
Zu den Favoriten
Gespeichert in:
74579
Effects of Edge Thinning on Fowler-Nordheim Tunneling Current of NAND-Type Flash Memory Cells
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Volltext
Zu den Favoriten
Gespeichert in:
74580
Proper Determination of Tunnel Model Parameters for Indirect Band-to-Band Tunneling in Compressively Strained Si1-xGex TFETs
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Volltext
Zu den Favoriten
Gespeichert in:
Suchwerkzeuge: RSS-Feed abonnieren — Diese Suche als E-Mail versenden — Suche speichern