Bandgap-dependent deviations of local and nonlocal from mixed band-to-band tunneling models

Mã QR

Bandgap-dependent deviations of local and nonlocal from mixed band-to-band tunneling models

The nonlocal electric field approach has been widely accepted for Kane’s band-to-band tunneling (BTBT) model to calculate, both analytically and numerically, the tunneling current in tunnel field-effect transistors (TFETs). In this paper, we demonstrate that the tunneling current deviations of the l...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Nguyễn, Đăng Chiến, Hoang Sy Duc, Chun-Hsing Shih, Dinh Sy Hien
Định dạng:	Conference paper
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	Bach Khoa Publishing House 2024
Những chủ đề:	Low-bandgap material band-to-band tunneling nonlocal BTBT mixed BTBT model Kane model
Truy cập trực tuyến:	https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3313
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Những quyển sách tương tự

Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Bandgap-dependent onset behavior of output characteristics in line-tunneling field-effect transistors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2023)

Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

A very low bandgap line-tunnel field effect transistor with channel-buried oxide and laterally doped pocket
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

A simple approach for integrating quantum confinement effects into TCAD Simulations of tunnel field-effect transistors
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Oxide thickness-dependent effects of source doping profile on the performance of single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Design and modeling of line-tunneling field-effect transistors using low bandgap semiconductors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Influence of hetero-gate dielectrics on short-channel effects in scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Different roles and designs of hetero-gate dielectric in single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Application of the collective model to determine some vibrational bands of 140La nucleus /

Semiconductor-thickness-dependent design of hetero-gate dielectric in double-gate TFETs
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Increasing drain voltage of low-bandgap tunnel field-effect transistors by drain engineering
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Physical properties and analytical models of band-to-band tunneling in low-bandgap semiconductors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

On some controversially-discuussed Raman and IR bands of beryl /
Bỡi: Le Thi Thu Huong.

Design dual band microstrip antenna for RFID application /
Bỡi: Tran Minh Tuan.

Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Nonlocal models of phase transitions in solids /
Bỡi: Chen, C.-K.

Theoretical evaluation of maximum electric field approximation of direct band-to-band tunneling Kane model for low bandgap semiconductors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

A multivariate band-pass filter for economic time series /
Bỡi: Azevedo, Joao Valle e.

Location and group size influence decisions in simulated intergroup encounters in banded mongooses /

Roles of gate-oxide thickness reduction in scaling bulk and thin-body tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Hoàng Mai Lưu và các ca khúc trong phong trào âm nhạc cách mạng
Bỡi: Huỳnh, Văn Tiểng
Được phát hành: (2002)

Boundedness of global solutions of nonlocal parabolic equations /
Bỡi: Fila, Marek.

Music from behind the bridge
Bỡi: Dudley, Shannon
Được phát hành: (2008)

A model of interband radiative transition /
Bỡi: Dittrich, Jaroslav.

Nghiên cứu kỹ thuật nhuộm Band G để lập karyotype trong chẩn đoán các bệnh rối loạn nhiễm sắc thể /
Bỡi: Hà Thị Minh Thi.

Dopant-segregated metal source tunnel field-effect transistors with Schottky barrier and band-to-band tunneling
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Topochemical speciation of intercalated palladium in graphite by valence band X-ray spectrometry in the electron microprobe /
Bỡi: Rohr, Udo.

Blowup of solutions for parabolic equations with nonlocal functionals /
Bỡi: Cannon, John R.

An abstract formulation of nonlinear equations involving multiple nonlocal operators /
Bỡi: Lenhart, Suzanne M.

CB :
Được phát hành: (1976)

Non leaky conductor-backed cpw based on thin film polyimide on CMOS-grade silicon for ku-band application /

Proper Determination of Tunnel Model Parameters for Indirect Band-to-Band Tunneling in Compressively Strained Si1-xGex TFETs
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Những ngày cuối cùng =
Bỡi: Westerfeld, Scott
Được phát hành: (2008)

Short-channel effect and device design of extremely scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Nonlinear nonlocal differential equations related to muscle contraction mechanism /
Bỡi: Kato, Nobuyuki.

Dependence of short-channel effects on semiconductor bandgap in tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)