Bandgap-dependent deviations of local and nonlocal from mixed band-to-band tunneling models
The nonlocal electric field approach has been widely accepted for Kane’s band-to-band tunneling (BTBT) model to calculate, both analytically and numerically, the tunneling current in tunnel field-effect transistors (TFETs). In this paper, we demonstrate that the tunneling current deviations of the l...
সংরক্ষণ করুন:
প্রধান লেখক: | Nguyễn, Đăng Chiến, Hoang Sy Duc, Chun-Hsing Shih, Dinh Sy Hien |
---|---|
বিন্যাস: | Conference paper |
ভাষা: | English |
প্রকাশিত: |
Bach Khoa Publishing House
2024
|
বিষয়গুলি: | |
অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3313 |
ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model
অনুযায়ী: Nguyễn, Đăng Chiến, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024) -
Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors
অনুযায়ী: Nguyễn, Đăng Chiến, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024) -
A very low bandgap line-tunnel field effect transistor with channel-buried oxide and laterally doped pocket
অনুযায়ী: Bui Huu Thai, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024) -
A VERY LOW BANDGAP LINE-TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH CHANNEL-BURIED OXIDE AND LATERALLY DOPED POCKET
অনুযায়ী: Bui, Huu Thai, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024) -
Bandgap-dependent onset behavior of output characteristics in line-tunneling field-effect transistors
অনুযায়ী: Chun-Hsing Shih, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2023)