Tunnel field-effect transistor: a potential device for low-power electronic integrated circuits /
Uloženo v:
| Hlavní autor: | Nguyễn Đăng Chiến. |
|---|---|
| Další autoři: | Chun-Hsing Shih. |
| Médium: | Článek |
| Jazyk: | Vietnamese |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Podobné jednotky
-
Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors
Autor: Nguyễn, Đăng Chiến, a další
Vydáno: (2024) -
Short-channel effect and device design of extremely scaled tunnel field-effect transistors
Autor: Nguyễn, Đăng Chiến, a další
Vydáno: (2023) -
Design and modeling of line-tunneling field-effect transistors using low bandgap semiconductors
Autor: Chun-Hsing Shih, a další
Vydáno: (2024) -
Effects of source doping profile on device characteristics of lateral and vertical tunnel field-effect transistors
Autor: Luu The Vinh, a další
Vydáno: (2023) -
Design and Modeling of Tunnel Field-Effect Transistors
Autor: Nguyễn, Đăng Chiến
Vydáno: (2023)