Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model

Recently, the band-to-band tunneling (BTBT) has been employed as a main mechanism to produce the conduction current in tunnel field-effect transistors (TFETs) which are currently considered as a potential candidate for low power integrated circuits because of their achievable sub-60 mV/decade subthr...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Nguyễn, Đăng Chiến, Luu The Vinh, Hoang Sy Duc
Định dạng: Conference paper
Ngôn ngữ:English
Được phát hành: Bach Khoa Publishing House 2024
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3314
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Những quyển sách tương tự