Nghiên cứu tối ưu hóa các tham số của thân linh kiện nâng cao đặc tính điện của các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm (TFET)
Công nghệ và linh kiện bán dẫn được ứng dụng rộng rãi trong tất cả các ngành công nghệ cao từ máy tính, ô-tô, thiết bị điện tử, viễn thông,… Các chuyên gia tài chính và công nghệ quốc tế cũng như trong nước đều nhận định sản xuất linh kiện bán dẫn được xem là phần cốt lõi trong cuộc cạnh tranh công...
Сохранить в:
Главные авторы: | Nguyễn, Đăng Chiến, Lê, Văn Tùng, Phan, Văn Chuân, Nguyễn, Hữu H, Bùi, Hữu Thái |
---|---|
Формат: | Report |
Язык: | Vietnamese |
Опубликовано: |
2025
|
Предметы: | |
Online-ссылка: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/5583 |
Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Схожие документы
-
Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors
по: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Опубликовано: (2024) -
Semiconductor-thickness-dependent design of hetero-gate dielectric in double-gate TFETs
по: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Опубликовано: (2024) -
Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors
по: Bui Huu Thai, et al.
Опубликовано: (2024) -
Influence of hetero-gate dielectrics on short-channel effects in scaled tunnel field-effect transistors
по: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Опубликовано: (2024) -
Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios
по: Chun-Hsing Shih, et al.
Опубликовано: (2024)