Nghiên cứu tối ưu hóa các tham số của thân linh kiện nâng cao đặc tính điện của các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm (TFET)
Công nghệ và linh kiện bán dẫn được ứng dụng rộng rãi trong tất cả các ngành công nghệ cao từ máy tính, ô-tô, thiết bị điện tử, viễn thông,… Các chuyên gia tài chính và công nghệ quốc tế cũng như trong nước đều nhận định sản xuất linh kiện bán dẫn được xem là phần cốt lõi trong cuộc cạnh tranh công...
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Nguyễn, Đăng Chiến, Lê, Văn Tùng, Phan, Văn Chuân, Nguyễn, Hữu H, Bùi, Hữu Thái |
---|---|
Định dạng: | Report |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Được phát hành: |
2025
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/5583 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024) -
Semiconductor-thickness-dependent design of hetero-gate dielectric in double-gate TFETs
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024) -
Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024) -
Influence of hetero-gate dielectrics on short-channel effects in scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024) -
Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)