A VERY LOW BANDGAP LINE-TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH CHANNEL-BURIED OXIDE AND LATERALLY DOPED POCKET

A VERY LOW BANDGAP LINE-TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH CHANNEL-BURIED OXIDE AND LATERALLY DOPED POCKET

Low bandgap and line tunneling techniques have demonstrated the most effectiveness in enhancing the on-current of tunnel field-effect transistors (TFETs). This study examines the mechanisms and designs of channel-buried oxide and a laterally doped pocket for a very low bandgap line-TFET. Numerical T...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: Bui, Huu Thai, Shih, Chun-Hsing, Nguyen, Dang Chien
বিন্যাস: প্রবন্ধ
ভাষা:English
প্রকাশিত: Trường Đại học Đà Lạt 2024
বিষয়গুলি:
Band-to-band tunneling
Channel-buried oxide
Doping pocket
Line tunneling
Low bandgap TFET
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/256919
https://tckh.dlu.edu.vn/index.php/tckhdhdl/article/view/1313
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

অনুরূপ উপাদানগুলি

অনুরূপ উপাদানগুলি