Impact of edge encroachment on programming and erasing gate current in NAND-type Flash memory

Mã QR

Impact of edge encroachment on programming and erasing gate current in NAND-type Flash memory

The edge encroachment of tunnel oxide is experimentally found to degrade the Fowler–Nordheim (FN) tunneling gate current of nand-type Flash cells. This work elucidates the impact of edge encroachment on FN tunneling current for use in programming and erasing operations. The fringing field effect and...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Ji-Ting Liang, Chun-Hsing Shih, Wei Chang, Yan-Xiang Luo, Ming-Kun Huang, Nguyễn, Đăng Chiến, Wen-Fa Wu, Sau-Mou Wu, Chenhsin Lien, Riichiro Shirota, Chiu-Tsung Huang, Su Lu, Alex Wang
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	IEEE Publishing 2024
Những chủ đề:	Edge encroachment Fowler–Nordheim (FN) tunneling Gate current NAND-type Flash Tunnel oxide
Truy cập trực tuyến:	https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3300
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Những quyển sách tương tự

Different roles and designs of hetero-gate dielectric in single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Semiconductor-thickness-dependent design of hetero-gate dielectric in double-gate TFETs
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Influence of hetero-gate dielectrics on short-channel effects in scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Effects of source doping profile on device characteristics of lateral and vertical tunnel field-effect transistors
Bỡi: Luu The Vinh, et al.
Được phát hành: (2023)

Fluctuations in biological and bioinspired electron-transfer reactions /
Bỡi: Skourtis, Spiros S.

Thiết kế hầm giao thông
Bỡi: Nguyễn, Thế Phùng
Được phát hành: (2008)

Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Design and modeling of line-tunneling field-effect transistors using low bandgap semiconductors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Bandgap-dependent onset behavior of output characteristics in line-tunneling field-effect transistors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2023)

Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

A simple approach for integrating quantum confinement effects into TCAD Simulations of tunnel field-effect transistors
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Materials for magnetoresistive random access memory /
Bỡi: Slaughter, J. M.

Embryology, epigenesis, and evolution :
Bỡi: Robert, Jason Scott
Được phát hành: (2004)

A very low bandgap line-tunnel field effect transistor with channel-buried oxide and laterally doped pocket
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

A VERY LOW BANDGAP LINE-TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH CHANNEL-BURIED OXIDE AND LATERALLY DOPED POCKET
Bỡi: Bui, Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Schottky barrier silicon nanowire SONOS memory with ultralow programming and erasing voltages
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Scanning Tunneling Spectroscopy of Magnetic Bulk Impurities: From a Single Kondo Atom Towards a Coupled System
Bỡi: Prüser, Henning
Được phát hành: (2016)

Tunneling Dynamics in Open Ultracold Bosonic Systems: Numerically Exact Dynamics – Analytical Models – Control Schemes
Bỡi: Lode, Axel U. J
Được phát hành: (2016)

Oxide thickness-dependent effects of source doping profile on the performance of single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Roles of gate-oxide thickness reduction in scaling bulk and thin-body tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Seawater :
Được phát hành: (1997)

Dr. Pascarelli's complete guide to repetitive strain injury :
Bỡi: Pascarelli, Emil F.
Được phát hành: (2004)

Scanning tunneling microscopy with chemically modified gold tips : In situ reestablishment of chemical contrast /
Bỡi: Olson, Joel A.

Short-channel effect and device design of extremely scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Direct observation of chiral oligo(p-phenylenevinylene)s with scanning tunneling microscopy /

All-optical NAND and AND gates based on 3x3 general interference multimode interference couplers /
Bỡi: Le Trung Thanh.

Aerodynamic modelling of trees for small-scale wind tunnel studies /
Bỡi: Gromke, Christof.

Coherent control of quantum dynamics with sequences of unitary phase-kick pulses /
Bỡi: Rego, Luis G. C.

Effects of Edge Thinning on Fowler-Nordheim Tunneling Current of NAND-Type Flash Memory Cells
Bỡi: Ji-Ting Liang, et al.
Được phát hành: (2024)

New cutting edge Intermediate. Workbook
Bỡi: Carr, Jane Comyns
Được phát hành: (2011)

Volleyball /
Bỡi: A. Kluka Darlene
Được phát hành: (1999)

A scanning tunnelling microscopy insight into the preparation of carbon molecular sieves by chemical vapour deposition /

Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Increasing drain voltage of low-bandgap tunnel field-effect transistors by drain engineering
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Bandgap-dependent deviations of local and nonlocal from mixed band-to-band tunneling models
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Design optimization of extremely short-channel graded Si/SiGe heterojunction tunnel field-effect transistors for low power applications
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)