Mã QR

Oxide thickness-dependent effects of source doping profile on the performance of single- and double-gate tunnel field-effect transistors

Operated by the band-to-band tunneling at the source-channel junction, the source engineering has been considered as an efficient approach to enhance the performance of tunnel field-effect transistors (TFETs). In this paper, we report a new feature that the effects of source doping profile on the pe...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Nguyễn, Đăng Chiến, Chun-Hsing Shih
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	2023
Những chủ đề:	Source doping effects EOT scaling band-to-band tunneling tunnel field-effect transistor low-bandgap TFET
Truy cập trực tuyến:	https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/2077
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Những quyển sách tương tự

Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Bandgap-dependent onset behavior of output characteristics in line-tunneling field-effect transistors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2023)

A very low bandgap line-tunnel field effect transistor with channel-buried oxide and laterally doped pocket
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Design and modeling of line-tunneling field-effect transistors using low bandgap semiconductors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Influence of hetero-gate dielectrics on short-channel effects in scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Semiconductor-thickness-dependent design of hetero-gate dielectric in double-gate TFETs
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Roles of gate-oxide thickness reduction in scaling bulk and thin-body tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

A simple approach for integrating quantum confinement effects into TCAD Simulations of tunnel field-effect transistors
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Different roles and designs of hetero-gate dielectric in single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Increasing drain voltage of low-bandgap tunnel field-effect transistors by drain engineering
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Effects of source doping profile on device characteristics of lateral and vertical tunnel field-effect transistors
Bỡi: Luu The Vinh, et al.
Được phát hành: (2023)

Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Short-channel effect and device design of extremely scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Bandgap-dependent deviations of local and nonlocal from mixed band-to-band tunneling models
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Design optimization of extremely short-channel graded Si/SiGe heterojunction tunnel field-effect transistors for low power applications
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Field-effect transistors :
Được phát hành: (1966)

Theory and applications of field-effect transistors
Bỡi: Cobbold, Richard S. C.
Được phát hành: (1970)

Fluctuations in biological and bioinspired electron-transfer reactions /
Bỡi: Skourtis, Spiros S.

In-situ crosslinking and n-doping of semiconducting polymers and their application as efficient electron-transporting materials in inverted polymer solar cells /

Impact of edge encroachment on programming and erasing gate current in NAND-type Flash memory
Bỡi: Ji-Ting Liang, et al.
Được phát hành: (2024)

Strain : A solution for higher carrier mobility in nanoscale MOSFETs /

Quantum Confinement Effect in Strained-Si¬1-xGex Double-Gate Tunnel Field-Effect Transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Thiết kế hầm giao thông
Bỡi: Nguyễn, Thế Phùng
Được phát hành: (2008)

Hoàng Mai Lưu và các ca khúc trong phong trào âm nhạc cách mạng
Bỡi: Huỳnh, Văn Tiểng
Được phát hành: (2002)

Analysis of NAD+/NADH cofactors by imprinted polymer membranes associated with ion-sensitive field-effect transistor devices and au-quartz crystals /

Music from behind the bridge
Bỡi: Dudley, Shannon
Được phát hành: (2008)

Scanning tunneling microscopy with chemically modified gold tips : In situ reestablishment of chemical contrast /
Bỡi: Olson, Joel A.

Direct observation of chiral oligo(p-phenylenevinylene)s with scanning tunneling microscopy /

Materials for magnetoresistive random access memory /
Bỡi: Slaughter, J. M.

Aerodynamic modelling of trees for small-scale wind tunnel studies /
Bỡi: Gromke, Christof.

Embryology, epigenesis, and evolution :
Bỡi: Robert, Jason Scott
Được phát hành: (2004)

Operation and modeling of the MOS transistor
Bỡi: Yannis Tsividis
Được phát hành: (1999)

Effects of Si4+/Al3+ molar concentration ratio on the self-reduction process of Yb3+ to Yb2+ ions and optical properties of Bin+/Ybm+, Bin+/Er3+ and Bin+/Er3+/Ybm+ (n, m = 3, 2) co-doped magnesium aluminum silicate glass
Bỡi: Nguyễn, Đình Trung
Được phát hành: (2024)

CB :
Được phát hành: (1976)