Increasing drain voltage of low-bandgap tunnel field-effect transistors by drain engineering

Mã QR

Increasing drain voltage of low-bandgap tunnel field-effect transistors by drain engineering

Using low-bandgap semiconductors has been definitively designated as a key technique for boosting on-current of tunnel field-effect transistors (TFETs). Based on two-dimensional simulations, this study shows an upper limit of applied drain voltage and then investigates a method of drain design to al...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Nguyễn, Đăng Chiến, Chun-Hsing Shih, Yu-Hsuan Chen, Nguyen Thi Thu
Định dạng:	Conference paper
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	IEEE Publishing 2024
Những chủ đề:	Low supply voltage Drain engineering low-bandgap transistor Tunnel field-effect transistor (TFET)
Truy cập trực tuyến:	https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3311
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Những quyển sách tương tự

Design and modeling of line-tunneling field-effect transistors using low bandgap semiconductors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Bandgap-dependent onset behavior of output characteristics in line-tunneling field-effect transistors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2023)

Oxide thickness-dependent effects of source doping profile on the performance of single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

A very low bandgap line-tunnel field effect transistor with channel-buried oxide and laterally doped pocket
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

A VERY LOW BANDGAP LINE-TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH CHANNEL-BURIED OXIDE AND LATERALLY DOPED POCKET
Bỡi: Bui, Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Roles of gate-oxide thickness reduction in scaling bulk and thin-body tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Bandgap-dependent deviations of local and nonlocal from mixed band-to-band tunneling models
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Design and Modeling of Tunnel Field-Effect Transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến
Được phát hành: (2023)

Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Short-channel effect and device design of extremely scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Design optimization of extremely short-channel graded Si/SiGe heterojunction tunnel field-effect transistors for low power applications
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

A simple approach for integrating quantum confinement effects into TCAD Simulations of tunnel field-effect transistors
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Effects of source doping profile on device characteristics of lateral and vertical tunnel field-effect transistors
Bỡi: Luu The Vinh, et al.
Được phát hành: (2023)

Influence of hetero-gate dielectrics on short-channel effects in scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Different roles and designs of hetero-gate dielectric in single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Short-drain effect of 5 nm tunnel field-effect transistors
Bỡi: Yu-Hsuan Chen, et al.
Được phát hành: (2024)

Transistors
Bỡi: Gillie, A. C.
Được phát hành: (1959)

Transistor technology
Bỡi: Biondi, F.J.
Được phát hành: (1957)

Semiconductor-thickness-dependent design of hetero-gate dielectric in double-gate TFETs
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Transistor physics and circuits
Được phát hành: (1958)

Fringing field and short channel effects in thin-body SOI MOSFETs with shallow source/drain
Bỡi: Jui-Kai Hsia, et al.
Được phát hành: (2024)

Transistor?... thật là đơn giản
Bỡi: E Aisberg
Được phát hành: (1972)

Transistor audio amplifiers
Bỡi: Jones, Dwight V.
Được phát hành: (1968)

Mạch điện tử transistor
Bỡi: Phạm Hữu Hiệp
Được phát hành: (1970)

Phân tích mạch transistor :
Bỡi: Đỗ, Thanh Hải
Được phát hành: (2002)

Field-effect transistors :
Được phát hành: (1966)

Transistor?... thật là đơn giản
Bỡi: E Aisberg
Được phát hành: (1972)

Nguyên lí máy thu transistor
Bỡi: Phạm Văn Đương
Được phát hành: (1972)

A two-step micromirror for low voltage operation /

Theory and applications of field-effect transistors
Bỡi: Cobbold, Richard S. C.
Được phát hành: (1970)

Ultra-Low-Voltage Design of Energy-Efficient Digital Circuits
Bỡi: Reynders, Nele, et al.
Được phát hành: (2016)

Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Design of next generation amplifiers using nanowire FETs /

Transistor circuit analysis
Bỡi: Joyce, Maurice V.
Được phát hành: (1961)