Design and modeling of line-tunneling field-effect transistors using low bandgap semiconductors

The low-bandgap engineering and line-tunneling architecture are the two major techniques to resolve the ON-current issues of tunnel field-effect transistors (TFETs). This paper elucidates the design and modeling of line-tunneling TFETs using low-bandgap materials. Three semiconductors, Ge, InAs, and...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến
Định dạng: Journal article
Ngôn ngữ:English
Được phát hành: IEEE Publishing 2024
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3291
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Những quyển sách tương tự