Design and modeling of line-tunneling field-effect transistors using low bandgap semiconductors

Mã QR

Design and modeling of line-tunneling field-effect transistors using low bandgap semiconductors

The low-bandgap engineering and line-tunneling architecture are the two major techniques to resolve the ON-current issues of tunnel field-effect transistors (TFETs). This paper elucidates the design and modeling of line-tunneling TFETs using low-bandgap materials. Three semiconductors, Ge, InAs, and...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	IEEE Publishing 2024
Những chủ đề:	Line-tunneling low-bandgap semiconductors Tunnel field-effect transistors (TFETs)
Truy cập trực tuyến:	https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3291
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Những quyển sách tương tự

Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Bandgap-dependent onset behavior of output characteristics in line-tunneling field-effect transistors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2023)

Increasing drain voltage of low-bandgap tunnel field-effect transistors by drain engineering
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

A very low bandgap line-tunnel field effect transistor with channel-buried oxide and laterally doped pocket
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Oxide thickness-dependent effects of source doping profile on the performance of single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Roles of gate-oxide thickness reduction in scaling bulk and thin-body tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Short-channel effect and device design of extremely scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Effects of source doping profile on device characteristics of lateral and vertical tunnel field-effect transistors
Bỡi: Luu The Vinh, et al.
Được phát hành: (2023)

Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Influence of hetero-gate dielectrics on short-channel effects in scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Bandgap-dependent deviations of local and nonlocal from mixed band-to-band tunneling models
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Different roles and designs of hetero-gate dielectric in single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Design optimization of extremely short-channel graded Si/SiGe heterojunction tunnel field-effect transistors for low power applications
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Semiconductor-thickness-dependent design of hetero-gate dielectric in double-gate TFETs
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Design and Modeling of Tunnel Field-Effect Transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến
Được phát hành: (2023)

Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Dependence of short-channel effects on semiconductor bandgap in tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Field-effect transistors :
Được phát hành: (1966)

Mạch điện tử transistor
Bỡi: Phạm Hữu Hiệp
Được phát hành: (1970)

Phân tích mạch transistor :
Bỡi: Đỗ, Thanh Hải
Được phát hành: (2002)

Theory and applications of field-effect transistors
Bỡi: Cobbold, Richard S. C.
Được phát hành: (1970)

Transistor?... thật là đơn giản
Bỡi: E Aisberg
Được phát hành: (1972)

Nguyên lí máy thu transistor
Bỡi: Phạm Văn Đương
Được phát hành: (1972)

Physical properties and analytical models of band-to-band tunneling in low-bandgap semiconductors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Fundamentals semiconductor devices
Bỡi: Anderson, Betty Lise
Được phát hành: (2005)

Fundamentals of semiconductor devices
Bỡi: Anderson, Betty Lise
Được phát hành: (2005)

Tunneling Dynamics in Open Ultracold Bosonic Systems: Numerically Exact Dynamics – Analytical Models – Control Schemes
Bỡi: Lode, Axel U. J
Được phát hành: (2016)

Scanning Tunneling Spectroscopy of Magnetic Bulk Impurities: From a Single Kondo Atom Towards a Coupled System
Bỡi: Prüser, Henning
Được phát hành: (2016)

Fluctuations in biological and bioinspired electron-transfer reactions /
Bỡi: Skourtis, Spiros S.

Operation and modeling of the MOS transistor
Bỡi: Yannis Tsividis
Được phát hành: (2011)

Thiết kế hầm giao thông
Bỡi: Nguyễn, Thế Phùng
Được phát hành: (2008)

Impact of edge encroachment on programming and erasing gate current in NAND-type Flash memory
Bỡi: Ji-Ting Liang, et al.
Được phát hành: (2024)

Theoretical evaluation of maximum electric field approximation of direct band-to-band tunneling Kane model for low bandgap semiconductors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Scanning tunneling microscopy with chemically modified gold tips : In situ reestablishment of chemical contrast /
Bỡi: Olson, Joel A.

Mạch điều hợp tổng trở dùng transistor
Bỡi: Nguyễn Thị Loan Anh
Được phát hành: (1971)