DIFFERENT ROLES AND DESIGNS OF HETERO-GATE DIELECTRIC IN SINGLE- AND DOUBLE-GATE TUNNEL FIELD-EFFECT TRANSISTORS

Mã QR

DIFFERENT ROLES AND DESIGNS OF HETERO-GATE DIELECTRIC IN SINGLE- AND DOUBLE-GATE TUNNEL FIELD-EFFECT TRANSISTORS

Hetero-gate dielectric (HGD) engineering not only suppresses the ambipolar current but also enhances the on-current of tunnel field-effect transistors (TFETs). Based on two-dimensional device simulations, we examined the roles and designs of hetero-gate dielectric structure in single- and double-gat...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Nguyễn, Đăng Chiến, Lưu, Thế Vinh, Huỳnh, Thị Hồng Thắm, Chun-Hsing, Shih
Định dạng:	Bài viết
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	Trường Đại học Đà Lạt 2023
Truy cập trực tuyến:	https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/114375 https://tckh.dlu.edu.vn/index.php/tckhdhdl/article/view/745
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Những quyển sách tương tự

Different roles and designs of hetero-gate dielectric in single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Influence of hetero-gate dielectrics on short-channel effects in scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Semiconductor-thickness-dependent design of hetero-gate dielectric in double-gate TFETs
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Oxide thickness-dependent effects of source doping profile on the performance of single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Quantum Confinement Effect in Strained-Si¬1-xGex Double-Gate Tunnel Field-Effect Transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Roles of gate-oxide thickness reduction in scaling bulk and thin-body tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Planar Double-Gate Transistor
Bỡi: Amara, Amara, et al.
Được phát hành: (2020)

Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Bandgap-dependent onset behavior of output characteristics in line-tunneling field-effect transistors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2023)

Short-channel effect and device design of extremely scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Design and modeling of line-tunneling field-effect transistors using low bandgap semiconductors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Drive current enhancement in tunnel field-effect transistors by graded heterojunction approach
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Negative capacitance in short-channel tunnel field-effect transistors
Bỡi: Hung-Jin Teng, et al.
Được phát hành: (2024)

Physical operation and device design of short-channel tunnel field-effect transistors with graded silicon-germanium heterojunctions
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Dependence of short-channel effects on semiconductor bandgap in tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Dopant-segregated metal source tunnel field-effect transistors with Schottky barrier and band-to-band tunneling
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Short-drain effect of 5 nm tunnel field-effect transistors
Bỡi: Yu-Hsuan Chen, et al.
Được phát hành: (2024)

Increasing drain voltage of low-bandgap tunnel field-effect transistors by drain engineering
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

FinFETs and Other Multi-Gate Transistors
Bỡi: Colinge, J.-P.
Được phát hành: (2020)

Design and Modeling of Tunnel Field-Effect Transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến
Được phát hành: (2023)

A very low bandgap line-tunnel field effect transistor with channel-buried oxide and laterally doped pocket
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Pentacene thin film transistors with various polymer gate insulators /

On-current limitation of high-k gate insulator MOSFETs
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Threshold voltage of Ge channel MOSFETs with high-k gate insulator
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Digital Signal Processing with Field Programmable Gate Arrays
Bỡi: Meyer-Baese, Uwe
Được phát hành: (2020)

Tunnel field-effect transistor: a potential device for low-power electronic integrated circuits /
Bỡi: Nguyễn Đăng Chiến.

Effects of source doping profile on device characteristics of lateral and vertical tunnel field-effect transistors
Bỡi: Luu The Vinh, et al.
Được phát hành: (2023)

Gates to Japan :
Bỡi: Itasaka, Gen
Được phát hành: (1986)

Stranger at the gate
Bỡi: White, Mel
Được phát hành: (1994)

Gates of reconciliation :
Được phát hành: (1998)

Baldurs gate :
Bỡi: Radcliffe, Dough
Được phát hành: (2001)

Bill gates :
Bỡi: Minh Đức
Được phát hành: (2004)

Bill gates :
Bỡi: Gatlin, Jonathan
Được phát hành: (2004)

Bill Gates :
Bỡi: Wallace, Jame
Được phát hành: (2013)