Physical operation and device design of short-channel tunnel field-effect transistors with graded silicon-germanium heterojunctions

Mã QR

Physical operation and device design of short-channel tunnel field-effect transistors with graded silicon-germanium heterojunctions

Using graded silicon-germanium heterojunctions, the green tunnel field-effect transistor (TFET) can be scaled down into sub-10 nm regimes without short-channel effects. This work elucidates numerically the physical operation and device design of extremely short-channel TFETs with graded silicon-germ...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	AIP Publishing 2024
Truy cập trực tuyến:	https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3295
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Những quyển sách tương tự

Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Short-channel effect and device design of extremely scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Drive current enhancement in tunnel field-effect transistors by graded heterojunction approach
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Negative capacitance in short-channel tunnel field-effect transistors
Bỡi: Hung-Jin Teng, et al.
Được phát hành: (2024)

Design optimization of extremely short-channel graded Si/SiGe heterojunction tunnel field-effect transistors for low power applications
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Dependence of short-channel effects on semiconductor bandgap in tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Influence of hetero-gate dielectrics on short-channel effects in scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Short-drain effect of 5 nm tunnel field-effect transistors
Bỡi: Yu-Hsuan Chen, et al.
Được phát hành: (2024)

A very low bandgap line-tunnel field effect transistor with channel-buried oxide and laterally doped pocket
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Bandgap-dependent onset behavior of output characteristics in line-tunneling field-effect transistors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2023)

Design and modeling of line-tunneling field-effect transistors using low bandgap semiconductors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Silicon germanium :
Bỡi: Singh, Raminderpal
Được phát hành: (2004)

Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Dopant-segregated metal source tunnel field-effect transistors with Schottky barrier and band-to-band tunneling
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Oxide thickness-dependent effects of source doping profile on the performance of single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Increasing drain voltage of low-bandgap tunnel field-effect transistors by drain engineering
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Roles of gate-oxide thickness reduction in scaling bulk and thin-body tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Different roles and designs of hetero-gate dielectric in single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

DIFFERENT ROLES AND DESIGNS OF HETERO-GATE DIELECTRIC IN SINGLE- AND DOUBLE-GATE TUNNEL FIELD-EFFECT TRANSISTORS
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Tunnel field-effect transistor: a potential device for low-power electronic integrated circuits /
Bỡi: Nguyễn Đăng Chiến.

Effects of source doping profile on device characteristics of lateral and vertical tunnel field-effect transistors
Bỡi: Luu The Vinh, et al.
Được phát hành: (2023)

Quantum Confinement Effect in Strained-Si¬1-xGex Double-Gate Tunnel Field-Effect Transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Design and Modeling of Tunnel Field-Effect Transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến
Được phát hành: (2023)

Fringing field and short channel effects in thin-body SOI MOSFETs with shallow source/drain
Bỡi: Jui-Kai Hsia, et al.
Được phát hành: (2024)

Short-Channel Organic Thin-Film Transistors: Fabrication, Characterization, Modeling and Circuit Demonstration
Bỡi: Zaki, Tarek
Được phát hành: (2015)

Physical properties and analytical models of band-to-band tunneling in low-bandgap semiconductors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Field-effect transistors :
Được phát hành: (1966)

Silicon Devices and Process Integration
Bỡi: El-Kareh, Badih
Được phát hành: (2020)

Organic Field Effect Transistors
Bỡi: Kymissis, Ioannis
Được phát hành: (2020)

Operation and modeling of the MOS transistor
Bỡi: Yannis Tsividis
Được phát hành: (1999)

Operation and modeling of the MOS transistor
Bỡi: Yannis Tsividis
Được phát hành: (2011)

Atomic-scale templates patterned by ultrahigh vacuum scanning tunneling microscopy on silicon /
Bỡi: Walsh, Michael A.

Theory and applications of field-effect transistors
Bỡi: Cobbold, Richard S. C.
Được phát hành: (1970)

Theoretical evaluation of maximum electric field approximation of direct band-to-band tunneling Kane model for low bandgap semiconductors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Advanced Nanoelectronics - Post-Silicon Materialsand Devices
Bỡi: Hussain
Được phát hành: (2020)